10:00 〜 10:15 [17a-Z31-5] Ga-Ni溶液を用いた絶縁基板上での多層グラフェン核の直接成長 〇(M1)深見 健司1、丹羽 和希1、小林 裕太1、丸山 隆浩1、成塚 重弥1 (1.名城大理工)