11:00 〜 11:15 [16a-Z16-8] GaN縦型トレンチMOSFETの界面特性に対する窒素プラズマ処理の効果 〇(M2)NAM KyungPil1、石田 崇1,2、Matys Maciej2、上杉 勉2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来材料システム研究所)