14:15 〜 14:30 △ [19p-Z25-6] 四元混晶AlGaInNバリア層を備えるAl0.4Ga0.6Nチャネル2DEGヘテロ構造の作製と特性評価 〇田中 さくら1、井上 暁喜1、山本 皓介1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)