14:30 〜 14:45 △ [17p-Z27-6] SiO2薄膜によるInGaN/GaN量子井戸を有する窒化物半導体の高効率発光 〇垣内 晴也1、島ノ江 考平1、松山 哲也1、和田 健司1、船戸 充2、川上 養一2、岡本 晃一1 (1.阪府大工、2.京大工)