17:00 〜 17:50 [19p-P06-6] 四元混晶AlGaInNエミッタと量子井戸を組込んだベースを特徴とするGaN npn HBTのシミュレーション解析 〇二階 祐宇1、飯田 悠介1、間瀬 晃1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)