15:30 〜 15:45 △ [18p-Z05-8] 高温アニールとγ線照射による4H-SiC/SiO2窒化界面構造の変化の違い 〇(M2)佐俣 勇祐1、増永 昌弘2、島 明生2、桑名 諒2、喜多 浩之1 (1.東大院工、2.日立製作所)