15:30 〜 15:45 [17p-Z28-6] GaAs基板上InAs成長層の表面ラフネスへのZnドープの影響調査 〇中川 翔太1、今村 優希1、大濱 寛士1、前田 幸治1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工)