一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:00 〜 09:30
〇賈 軍軍1、数金 拓巳2、中村 新一2、岡島 敏浩3、重里 有三2 (1.早大国際理工、2.青学大理工、3.あいちシンクロトロン光センター)
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09:30 〜 09:45
〇荒井 雄太1、濱田 知宏1、金 冑男1,2、杉山 睦1,2 (1.東理大 理工、2.東理大 総研)
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09:45 〜 10:00
〇久瀬 登雲1、篠崎 貴紀2、磯村 雅夫1,2 (1.東海大工、2.東海大院工)
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10:00 〜 10:15
〇(M1)金子 健太1、篠崎 佳晴1、金子 智2,1、松田 晃史1、吉本 護1 (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)
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10:15 〜 10:30
〇立石 大樹1、番 貴彦1、山本 伸一1 (1.龍谷大理工)
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10:45 〜 11:00
〇松村 亮汰1、番 貴彦1、山本 伸一1 (1.龍谷大理工)
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11:00 〜 11:15
〇有田 正志1、石川 竜介1、福地 厚1、高橋 庸夫1 (1.北大情報)
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11:15 〜 11:30
〇(M1)菅原 広太1,2、菅 洋志1,2、内藤 泰久1、島 久1、秋永 広幸1 (1.産総研、2.千葉工大)
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11:30 〜 11:45
〇(M1)橋本 悠太1、青木 裕雅1、木下 健太郎1 (1.東理大理)
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11:45 〜 12:00
〇小西 智貴1、山本 伸一1、番 貴彦1 (1.龍谷大理工)
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