一般セッション(ポスター講演)

[16p-P09-1~3] 9.3 ナノエレクトロニクス

2021年3月16日(火) 16:00 〜 16:50 P09 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

16:00 〜 16:50

[16p-P09-1] レジスト溝内に配置された金ナノ粒子ランダム配列における粒子間距離

〇関根一真¹、守屋雅隆¹、島田宏¹、平野愛弓²、廣瀬文彦³、水柿義直¹ (1.電通大、2.東北大、3.山形大)

16:00 〜 16:50

[16p-P09-2] 電荷検出器への応用に向けた金属ナノ接合の微細化と伝導特性制御

〇柴田憲治¹、佐々木尚人¹、斉藤大我¹、大塚朋廣²、平川一彦³ (1.東北工大、2.東北大通研、3.東大生研・ナノ量子機構)

16:00 〜 16:50

[16p-P09-3] 4重ドット単電子デバイスにおけるポンプ動作可能なバイパス電圧の拡張

〇門田悠¹、今井茂¹ (1.立命館大理工)

一般セッション(口頭講演)

[19a-Z16-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

2021年3月19日(金) 10:00 〜 11:45 Z16 (Z16)

大矢剛嗣(横国大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

10:00 〜 10:15

▲ [19a-Z16-1] Optimization of Pt thickness for heteroepitaxial spherical Au/Pt nanogap electrodes

〇Ruicong Yu¹、 Ryo Toyama¹、 Yutaka Majima¹ (1.MSL, Tokyo Tech.)

10:15 〜 10:30

[19a-Z16-2] 無電解金メッキの自己停止機能を用いた金／白金ナノギャップアレイ電極

〇西之坊拓海¹、ファンチョントゥエ¹、真島豊¹ (1.東工大フロンティア研)

10:30 〜 10:45

△ [19a-Z16-3] 単層Feナノドットアレイ単電子デバイスのオフセットチャージ安定性

〇瘧師貴幸¹、浅井佑基¹、本庄周作¹、福地厚¹、有田正志¹、高橋庸夫¹ (1.北大院情報)

10:45 〜 11:00

△ [19a-Z16-4] 異なるSiO₂下地層上に形成したナノドットアレイの電気特性比較

〇(B)谷澤涼太¹、天野郁馬¹、瘧師貴幸¹、福地厚¹、有田正志¹、高橋庸夫¹ (1.北海道大学)

11:00 〜 11:15

[19a-Z16-5] 2種類の粒径の金ナノ粒子を誘電泳動させ作製した単一電子トランジスタの特性

〇(M1)浦江哲也¹、谷貝知起¹、関根一真¹、守屋雅隆¹、島田宏¹、平野愛弓²、廣瀬文彦³、水柿義直¹ (1.電通大院情報理工、2.東北大材料科学高等研究所・電気通信研究所、3.山形大院理工)

11:15 〜 11:30

[19a-Z16-6] 金属ナノ微粒子膜の高周波整流特性の検討

〇岩田賢明¹、西村智紀²、アルカシン³、佐藤弘明⁴、猪川洋⁴ (1.静岡大工、2.静岡大院・総合科学技術、3.静岡大・創造科学技術、4.静岡大・電子研)

11:30 〜 11:45

[19a-Z16-7] 平面型TaOx-ReRAMによるナノスケール形状効果の検証

〇内藤泰久¹、井口柊也²、菅洋志²、角谷透¹、島久¹、秋永広幸¹ (1.産総研、2.千葉工大)

一般セッション(口頭講演)

[19p-Z16-1~6] 9.3 ナノエレクトロニクス

2021年3月19日(金) 13:30 〜 15:00 Z16 (Z16)

内藤泰久(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 13:45

[19p-Z16-1] 単電子計数統計を用いたナノメートルスケールSi MOSFET 中の熱電効果の観測

〇知田健作¹、藤原聡¹、西口克彦¹ (1.NTT物性研)

13:45 〜 14:00

[19p-Z16-2] 量子ウォークを用いた量子ランダムアクセスメモリ

〇(M2)浅香諒¹、堺和光¹、矢萩量子¹ (1.東理大理)

14:00 〜 14:15

[19p-Z16-3] 巡回セールスマン問題を解く単電子粘菌回路の改良検討

〇松岡拓哉¹、大矢剛嗣¹ (1.横国大院理工)

14:15 〜 14:30

[19p-Z16-4] 流体の拡散を表現する単電子回路の定量的評価と改善

〇角野友裕¹、大矢剛嗣¹ (1.横国大院理工)

14:30 〜 14:45

[19p-Z16-5] 一筆書きの定理をモデルとした単電子情報処理回路の設計

〇塚田聖司¹、大矢剛嗣¹ (1.横国大理工)

14:45 〜 15:00

[19p-Z16-6] オオカミの群れの挙動に学ぶ情報処理の単電子回路実装検討

〇小川陸¹ (1.横国大)

セッション一覧

9 応用物性 » 9.3 ナノエレクトロニクス

[16p-P09-1~3] 9.3 ナノエレクトロニクス

[16p-P09-1] レジスト溝内に配置された金ナノ粒子ランダム配列における粒子間距離

[16p-P09-2] 電荷検出器への応用に向けた金属ナノ接合の微細化と伝導特性制御

[16p-P09-3] 4重ドット単電子デバイスにおけるポンプ動作可能なバイパス電圧の拡張

[19a-Z16-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

▲ [19a-Z16-1] Optimization of Pt thickness for heteroepitaxial spherical Au/Pt nanogap electrodes

[19a-Z16-2] 無電解金メッキの自己停止機能を用いた金／白金ナノギャップアレイ電極

△ [19a-Z16-3] 単層Feナノドットアレイ単電子デバイスのオフセットチャージ安定性

△ [19a-Z16-4] 異なるSiO₂下地層上に形成したナノドットアレイの電気特性比較

[19a-Z16-5] 2種類の粒径の金ナノ粒子を誘電泳動させ作製した単一電子トランジスタの特性

[19a-Z16-6] 金属ナノ微粒子膜の高周波整流特性の検討

[19a-Z16-7] 平面型TaOx-ReRAMによるナノスケール形状効果の検証

[19p-Z16-1~6] 9.3 ナノエレクトロニクス

[19p-Z16-1] 単電子計数統計を用いたナノメートルスケールSi MOSFET 中の熱電効果の観測

[19p-Z16-2] 量子ウォークを用いた量子ランダムアクセスメモリ

[19p-Z16-3] 巡回セールスマン問題を解く単電子粘菌回路の改良検討

[19p-Z16-4] 流体の拡散を表現する単電子回路の定量的評価と改善

[19p-Z16-5] 一筆書きの定理をモデルとした単電子情報処理回路の設計

[19p-Z16-6] オオカミの群れの挙動に学ぶ情報処理の単電子回路実装検討

認証

セッション一覧

9 応用物性 » 9.3 ナノエレクトロニクス

[16p-P09-1~3] 9.3 ナノエレクトロニクス

[19a-Z16-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

▲ [19a-Z16-1] Optimization of Pt thickness for heteroepitaxial spherical Au/Pt nanogap electrodes

△ [19a-Z16-3] 単層Feナノドットアレイ単電子デバイスのオフセットチャージ安定性

△ [19a-Z16-4] 異なるSiO2下地層上に形成したナノドットアレイの電気特性比較

[19p-Z16-1~6] 9.3 ナノエレクトロニクス

認証

△ [19a-Z16-4] 異なるSiO₂下地層上に形成したナノドットアレイの電気特性比較