[16a-P01-1~11] 12.2 Characterization and Materials Physics

[16a-P01-4] Effect of gas exposure on photoluminescence lifetime of Ir(ppy)₃ thin films

〇Taiyo Nakanishi^1,2, Masato Iwasawa³, Yoichi Yamada³, Yasuo Nakayama¹, Takuya Hosokai² (1.Tokyo Univ. Sci., 2.AIST, 3.Univ. Tsukuba)

Keywords:organic semiconductor, in-situ measurement, transient emission

我々はこれまで、有機発光材料の発光特性を詳細に調べるために、製膜から測定までを製膜環境下で測定可能な過渡発光分光装置を開発し、Ir(ppy)₃薄膜を用いて測定を行ったところ、水との相互作用により結晶化し、それは基板表面の粗さと相関があるとわかった。結晶化とその条件がわかったことで、Ir(ppy)₃薄膜の構造変化を通して発光ダイナミクスへの影響を検討できる。そこで今回は、Ir(ppy)₃薄膜の発光寿命におよぼすガス曝露の影響を調査した。