[16a-Z04-1~5] Engineering Crystal Habit: Toward a new crystal science designed by controlling polymorphism and microstructure

[16a-Z04-5] Metal impurity doping in diamond crystals and their application toward electronics

〇Shinya Ohmagari¹, Phongsaphak Sittimart^1,2, Tsuyoshi Yoshitake², Hideaki Yamada¹ (1.AIST, 2.IGSES Kyushu Univ.)

Keywords:diamond, Schottky, defect

ダイヤモンド半導体は，極限的な物性と耐環境性を兼ね備えた，ロバストな電子材料である．近年，ダイヤモンドのエレクトロニクス応用を意識した研究開発が盛んであり，大型ウェハについてはヘテロエピタキシャル法やモザイク法により，2インチを超える大口径化が実現している．
我々は，ダイヤモンドエピ膜中に金属原子 (WまたはTaなどの遷移金属) を高濃度 (10-100 ppm) に添加することで，結晶性および均一性が向上することを発見した．構造欠陥に極めて敏感なSBDで，金属原子添加によるデバイス特性改善効果を実証した．本技術を各種ダイオード，FET構造に適用することにより，デバイスの性能・歩留り改善が期待できる．