[16a-Z13-1~12] 13.3 Insulator technology

[16a-Z13-10] Relation between chemical bonds and electrical properties of thick insulation film formed by chemical vapor deposition

〇Satoshi Akutsu¹, Kazuyuki Ito¹, Takuo Kikuchi¹, Nobuaki Makino¹, Yoshiyuki Kitahara¹, Tatsuya Ohguro², Yoshihiko Fuji², Mari Takahashi², Yukiko Kashiura² (1.Toshiba, 2.Toshiba Electronic Devices & Storage)

Keywords:semiconductor, insulating film, Reliability assessment

近年，産業機器や医療機器等の様々なシステムで電動化が進んでいる．これらの機器では，故障や感電を防ぐ目的で，高電圧で動作する回路と低電圧で動作する回路を電気的に絶縁しながら信号をやり取りするための絶縁デバイスが用いられる．絶縁デバイスの開発において，高耐圧かつ高信頼性を確保するため，絶縁膜を数μmオーダの厚膜で形成する必要がある．しかし，厚絶縁膜における破壊寿命のワイブル係数βは膜厚に比例して大きくなる等の知見が報告されているが，絶縁破壊のメカニズムについては十分に検討されていない．本研究では，プラズマCVD法を用いて形成した膜厚300nmの絶縁膜における耐圧と化学結合の関係を明らかにする．