[16a-Z13-1~12] 13.3 絶縁膜技術

△ [16a-Z13-9] 変位電流評価法によるMetal/Insulator/p-Si型素子内の蓄積・空乏・反転過程の観測

〇山本 星斗¹、田中 有弥^1,2、神林 辰洋¹、矢嶋 赳彬³、石井 久夫^1,2,4 (1.千葉大院融合、2.千葉大先進、3.九大シス情報、4.千葉大MCRC)

キーワード：シリコン窒化膜、MIS、無機半導体

Metal-Insulator-Semiconductor (MIS)型素子では、半導体層の蓄積・空乏・反転状態の評価は極めて重要である。従来Impedance Spectroscopy (IS)を用い、DC電圧を印加した定常状態における容量(C)の変化は数多く評価されてきたが、ISではMIS素子内のキャリアの動的な挙動を評価する事ができない。そこで、本研究では三角波電圧を印加する事で応答電流を評価する事ができる変位電流評価法(DCM)をMIS型素子[Ni(100nm)/P-Si]に適用する事で、電圧掃引方向で切り分けた素子中の電荷の動的な振る舞いを調べた。