[16a-Z16-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-Z16-10] 表面制御したGaN-MOSFETの高移動度化

〇上野 勝典¹、田中 亮¹、高島 信也¹、江戸 雅晴¹ (1.富士電機)

キーワード：GaN、MOSFET、移動度

GaN系パワーデバイスの実用化のためにはMOSFETの移動度向上が強く望まれており、MOSチャネル制御は重要な要素技術である。薄いAlGaN層の上に絶縁膜を形成することで、２DEG形成を抑えつつ、チャネル層を絶縁膜界面からAlGaN/GaN界面にずらして移動度の向上が期待できる。またプロセス適合性を考慮し、エピ成長でなく絶縁膜形成直前での形成をねらいとしてAlNとGaNとの熱反応によるAlGaN層形成を試みた。その結果、高い移動度の実現可能性が示唆されたので報告する。