[16a-Z16-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[16a-Z16-2] Felmi level pinning at Metal/GaN interface

〇Jiro Koba^1,2, Masataka Yahagi^1,2, Junichi Koike¹ (1.Tohoku Univ., 2.JX Nippon Mining & Metals Corporation)

Keywords:GaN, Fermi level pinning

金属/半導体界面に形成されるショットキー障壁高さΦ_Bは、理想的にはΦ_B=Φ_M-χ (Φ_M:金属の仕事関数,χ:半導体の電子親和力)で表されるが、実際にはフェルミレベルピンニング(FLP)が生じ金属の仕事関数依存性が消失することがよく知られている。FLPはSiやGe[1]に関しては数多くの研究結果が報告されているが、次世代半導体材料として有望なGaNにおいては系統的に調べられてはいない。本発表では、さまざまな金属とGaNの間に生じるショットキー障壁高さを測定し、FLPについて調べたので報告する。