[16a-Z16-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-Z16-3] n 型 AlN のショットキー障壁高さの金属仕事関数依存性

〇廣木 正伸¹、谷保 芳孝¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：AlN、ショットキー障壁高さ

n型AlNのショットキー障壁高さ(SBH)の金属仕事関数依存性を評価した。Ti, Ni, Pd, Ptをアノード電極とするn型AlNショットキーバリアダイオードを作製し、C-V測定からSBHを評価した。SBHは、金属仕事関数, Φ_mの増加に伴い増加し、SBH = q(1.1Φ_m - 2.26) という関係が得られた。金属/n型AlN界面ではフェルミレベルピニング の影響がほぼ無く、界面状態密度が小さいことを示唆している。