[16a-Z16-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-Z16-7] TMAH 処理を施したGaN UMOSにおけるチャネル特性の面方位依存性

〇平井 悠久¹、三浦 喜直¹、中島 昭¹、原田 信介¹、山口 浩¹ (1.産総研)

キーワード：窒化ガリウム、酸化膜、トレンチ

高チャネル移動度のGaN MOS技術確立は、中耐圧領域での次世代縦型パワーデバイスの低ON抵抗化に資する可能性がある。低ON抵抗化にはUMOS構造が有利であり、その際チャネルとなるトレンチ面上のMOS特性を詳しく調べる必要がある。本研究は、UMOSチャネル特性に対するトレンチ面方位の影響を調べ、TMAH液によるGaNウェットエッチ処理により明確な面方位依存性が表れることを明らかにした。