[16a-Z16-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-Z16-8] GaN縦型トレンチMOSFETの界面特性に対する窒素プラズマ処理の効果

〇(M2)NAM KyungPil¹、石田 崇^1,2、Matys Maciej²、上杉 勉²、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来材料システム研究所)

キーワード：GaN縦型トレンチMOSFET、窒素プラズマ処理

高性能トレンチMOSFET実現のためには、チャネル移動度の向上が重要であり、特にトレンチ形成時のICP-RIEによるトレンチ側壁ダメージの低減が鍵となる。今回は、エッチング後処理として窒素プラズマ処理による影響について検討した。
電界効果移動度に関しては、窒素プラズマ処理ありの場合で48 cm²/Vs、窒素プラズマ処理なしの場合は32 cm²/Vsとなり改善が見られた。移動度の傾きの傾向から、クーロン散乱が低減されたことが改善の理由と考えている。