09:45 〜 10:00
[16a-Z23-4] β-(Fe1-xRux)Si2多結晶薄膜の作製と発光特性評価
キーワード:β-FeSi2、混晶半導体、シリサイド半導体
これまで我々はβ-FeSi2のバンド間遷移確率の増大を目的に,Feの一部をRuに置換したx=0.35までのβ-(Fe1-xRux)Si2多結晶薄膜を作製し,べガード則に従うことを確認した.本研究では,Ru添加量をさらに増加させるとともに,作製したβ-(Fe1-xRux)Si2多結晶薄膜の発光特性を評価した.
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性
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キーワード:β-FeSi2、混晶半導体、シリサイド半導体