2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-Z23-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2021年3月16日(火) 09:00 〜 12:00 Z23 (Z23)

鵜殿 治彦(茨城大)、山口 憲司(量研機構)

10:00 〜 10:15

[16a-Z23-5] メカノケミカル効果を活用した近接蒸着法によるBaSi2成膜

原 康祐1、山本 千綾2、山中 淳二2、有元 圭介1 (1.山梨大クリスタル研、2.山梨大機器分析)

キーワード:バリウムシリサイド、メカニカルアロイング、薄膜

近接蒸着法は高速で大面積に展開可能なBaSi2の成膜法であるが、その成膜温度は1000 °Cに限られており、熱歪みによるクラック発生という課題があった。本研究は、BaAl4–Ni原料のメカノケミカル処理によりBaSi2成膜温度の低減を目指した。その結果、成膜温度を700 °Cまで低下させ、クラックフリーBaSi2薄膜を作製することに成功した。