The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16a-Z23-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Tue. Mar 16, 2021 9:00 AM - 12:00 PM Z23 (Z23)

Haruhiko Udono(Ibaraki Univ.), Kenji Yamaguchi(QST)

11:15 AM - 11:30 AM

[16a-Z23-9] Evaluation of thermoelectric properties of B-doped BaSi2 films grown by MBE

Ryuichi Yoshida1, Mikie Tsuji1, Yudai Yamashita1, Kaoru Toko1, Takashi Suemasu1 (1.Univ. Tsukuba)

Keywords:seimiconductor

本研究では新規熱電変換材料としてBaSi2に着目している。優れた熱電特性を有する熱電材料はレアメタルや有毒元素を含むことが多いのに対し、BaSi2は資源が豊富なBaとSiで構成されている。しかし、導電率は低く、高い熱電特性を達成するには、不純物を高濃度ドーピングし、キャリア密度を大きくする必要がある。そこで本研究では、MBE法により、Bを高濃度ド ーピングした BaSi2 を作製し、熱電特性評価をすることを目的とした。