[16a-Z23-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-Z23-9] MBE 法による B-doped BaSi₂膜の熱電特性評価

〇吉田 竜一¹、辻 美紀江¹、山下 雄大¹、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大)

キーワード：半導体

本研究では新規熱電変換材料としてBaSi₂に着目している。優れた熱電特性を有する熱電材料はレアメタルや有毒元素を含むことが多いのに対し、BaSi₂は資源が豊富なBaとSiで構成されている。しかし、導電率は低く、高い熱電特性を達成するには、不純物を高濃度ドーピングし、キャリア密度を大きくする必要がある。そこで本研究では、MBE法により、Bを高濃度ド ーピングした BaSi₂ を作製し、熱電特性評価をすることを目的とした。