[16a-Z24-1~4] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

△ [16a-Z24-4] サファイアr,S面ナノファセット基板上ZnTe(110)薄膜成長に向けたMEE成長層界面の制御

〇(M1)小林 昇太郎¹、安藤 達也¹、坂本 悠哉¹、杉本 昂大¹、坪井 海人¹、細井 菜々乃¹、小林 正和^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)

キーワード：半導体、結晶成長

テラヘルツ波検出素子応用に向け、サファイア基板上に(110)配向のZnTe薄膜の作製を目指している。r面とS面が周期的、連続的に並んだナノファセット構造を持つ、サファイアm面基板を利用し、ZnTe(110)薄膜を得ることを試みている。今回は、Sナノファセット面により選択的に成長核を形成するために、より高温条件下でMEE成長層を堆積させた。得られたZnTe薄膜の配向性について、X線回折によって解析した結果について報告する。