[16a-Z27-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16a-Z27-1] Fabrication of GaN Template with Different Polar Directions using Surface-Activated Bonding and MOVPE of InGaN Quantum Wells with Different Compositions

〇Ryo Tanabe¹, Shin Yoshida¹, Yuma Yasuda¹, Masahiro Uemukai¹, Tomoyuki Tanikawa¹, Ryuji Katayama¹ (1.Osaka univ.)

Keywords:surface activated bonding, micro LED

新規マイクロLED構造の提案を行う。窒化物半導体は成長面によってInの取り込み効率が異なるため、成長面の異なる領域が面内に混在したGaN薄膜上にInGaNを成長させると、赤、緑、青色の発光色を持つInGaN量子井戸を一度に成長できる可能性がある。本研究では、表面活性化接合を用いた面方位の異なるGaN薄膜を同一基板上に積層した面方位変調GaNテンプレートの作製プロセスとInGaN/GaN多重量子井戸の発光波長の成長面方位依存性について報告する。