[16a-Z27-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16a-Z27-2] Efficiency Evaluation of GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Second Harmonic Generation Device

〇Naoki Yokoyama¹, Tomotaka Murata¹, Hiroto Honda¹, Shuhei Ichikawa^1,2, Yasufumi Fujiwara¹, Masahiro Uemukai¹, Tomoyuki Tanikawa¹, Ryuji Katayama¹ (1.Osaka Univ., 2.Research Center for UHVEM)

Keywords:second harmonic generation

窒化物半導体は強い光学非線形性を示し強励起可能であるため、高効率な波長変換デバイスへの応用が期待されている。我々はこれまでに、グレーティング結合器(GC)を集積したGaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイスを作製し、励起光源にTi:Al₂O₃短パルスレーザを用いて青色の第二高調波発生を実証し、規格化変換効率を見積もった。本講演では、規格化変換効率の理論値と実測値の差について考察を行う。