[16a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-Z27-2] GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイスの効率評価

〇横山 尚生¹、村田 知駿¹、本田 啓人¹、市川 修平^1,2、藤原 康文¹、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター)

キーワード：第二高調波発生

窒化物半導体は強い光学非線形性を示し強励起可能であるため、高効率な波長変換デバイスへの応用が期待されている。我々はこれまでに、グレーティング結合器(GC)を集積したGaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイスを作製し、励起光源にTi:Al₂O₃短パルスレーザを用いて青色の第二高調波発生を実証し、規格化変換効率を見積もった。本講演では、規格化変換効率の理論値と実測値の差について考察を行う。