[16a-Z27-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16a-Z27-3] [Highlight]InGaN High-Order Deeply Etched DBR Laser

〇Akihiro Higuchi¹, Naritoshi Matsushita¹, Masahiro Uemukai¹, Tomoyuki Tanikawa¹, Ryuji Katayama¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:laser, InGaN, DBR

本研究では、400 nm帯InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザを作製し、パルス駆動による単一モード発振を実証した。DBRレーザは光集積デバイスの光源に適しており、GaNやAlNを用いた波長変換デバイスと集積することで、コンパクトな200 nm帯深紫外光源や800 nm帯光子対光源を実現できる。発表当日には、DBR領域に個別に電流注入を行うことで得られる波長可変性についても報告する。