[16a-Z29-1~3] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[16a-Z29-2] 硫化ゲルマニウム薄膜の電子物性と局在準位評価

〇(M2)黒岩 昌悟¹、後藤 民浩¹ (1.群馬大理工)

キーワード：カルコゲナイド、局在順位、PDS

電子デバイスの高密度化に重要な2端子セレクタ素子の材料として、GeSに着目しその電子物性や局在準位を評価した。セレクタ素子として利用するには、キャリア特性の理解が必要である。そこでGeS薄膜を光熱偏向分光法で解析し、局在準位の評価を行った。これにより電子状態密度を明らかにし、キャリアの生成機構について考察した。