[16a-Z32-1~10] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[16a-Z32-4] 極小エピタキシャルGeナノドット含有薄膜における熱伝導機構

〇(D)寺田 吏¹、谷口 達彦¹、石部 貴史¹、鴻池 健人¹、真田 篤志¹、成瀬 延康²、目良 裕²、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.滋賀医科大学)

キーワード：ナノ構造、フォノン、熱伝導

近年、安価・無毒なユビキタス元素を用いたSi系材料の室温近傍での熱電応用が期待されている。しかしながら、その高い熱伝導率のため変換効率が低いという問題がある。本公演では、独自の極薄Si酸化膜技術を用いたGeナノドットをSi、SiGe薄膜中に導入することにより、大幅な熱伝導率低減を実証し、その熱伝導率低減機構を解明することを目的とする。