[16a-Z33-1~10] 6.3 Oxide electronics

[16a-Z33-4] Effect of vacuum ultraviolet light (172 nm) irradiation on conductivity of PLD grown NiO thin films

〇(M1)Kenta Kaneko¹, Yoshiharu Shinozaki¹, Satoru Kaneko^2,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.KISTEC)

Keywords:Nickel oxide, vacuum ultraviolet light, epitaxial thin film

NiOはp型のワイドギャップ半導体として知られており、Liドーピングによって導電性が向上することが報告されている。また、低圧水銀ランプを用いたUV/O₃処理により導電性の向上が報告されており、本研究ではXe2エキシマランプ(λ=172 nm)による真空紫外光照射が構造および導電性に与える影響について検討した。薄膜はPLD法によりα-Al2O3(0001)基板に堆積した。