[16a-Z34-1~11] CS.1 Code-sharing Session of 2.4 & 7.5

△ [16a-Z34-4] Formation Process of Nanostructures in Ge Depending on Ion Beam Flux

〇Naoto Oishi¹, Humihiro Koga¹, Noriko Nitta¹ (1.Kochi Univ. Tech.)

Keywords:ion beam, semiconductor, nanostructure

Ge基板に対してFIBを用いたイオンビーム照射を行い、点欠陥の自己組織化によるポーラス構造を作製した。この際、照射量を5×10¹⁹ ~ 1×10²¹ ions/m²、ビームフラックスを1.7×10⁸ ~ 1.3×10¹¹ ions/m²・sで変更した。得られた微細構造の評価・考察を行ったところ、構造形成の過程は3つのステージに分類された。