[16a-Z34-1~11] CS.1 2.4 加速器質量分析・加速器ビーム分析、7.5 イオンビーム一般のコードシェアセッション

△ [16a-Z34-4] Geにおける微細構造形成過程のイオンビームフラックス依存性

〇大石 脩人¹、古賀 文啓¹、新田 紀子¹ (1.高知工大)

キーワード：イオンビーム、半導体、ナノ構造

Ge基板に対してFIBを用いたイオンビーム照射を行い、点欠陥の自己組織化によるポーラス構造を作製した。この際、照射量を5×10¹⁹ ~ 1×10²¹ ions/m²、ビームフラックスを1.7×10⁸ ~ 1.3×10¹¹ ions/m²・sで変更した。得られた微細構造の評価・考察を行ったところ、構造形成の過程は3つのステージに分類された。