[16p-P01-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-P01-11] Evaluation of energized region of n-GaN in two-step wet etching method

〇Kouki Kaneda¹, Ryo Takahashi¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)

Keywords:GaN, anodization

GaN系電子デバイスの低速・低損傷エッチング技術の開発を目的として、電気化学的に通電したn-GaNを通電後にウェットエッチングする2段階エッチング法を2019年に提案した。この方法における通電領域のn-GaNは被エッチングされる材料であるが、新たなデバイス応用への可能性も念頭に、この通電部分のn-GaNの材料物性を調べることは重要である。今回、通電領域全体が陽極酸化されていることをXPS評価により確認することができた。