[16p-P01-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-P01-12] Electrical transport properties of anodized AlGaN / GaN heterostructures

〇Ryo Takahashi¹, Kouki Kaneda¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)

Keywords:GaN, anodization

我々は電気化学的手法によるGaNの陽極酸化と、酸化物除去による2段階ウェットエッチング法について報告した。本研究では基礎的な検討として、GaNに対する陽極酸化をAlGaN/GaNヘテロ構造に適用し、ホール効果測定によって電気伝導特性評価を行った。陽極酸化により、キャリア濃度は40％弱低下する結果が得られた。このことより、AlGaN部分が陽極酸化され、i-GaN部は酸化されていないと考えられた。また、2DEG特性劣化は認められなかった。