[16p-P01-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-P01-13] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリ特性のON/OFF比増大

〇永瀬 成範¹、高橋 言緒¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：窒化物半導体、サブバンド間遷移、不揮発メモリ

IoT社会及びSociety 5.0の実現に向けて、不揮発メモリの更なる高性能化は重要である。我々は、GaN系共鳴トンネルダイオード（GaN系RTD）でのサブバンド間遷移を用いることで、高速な不揮発メモリの実現を目指している。今回、我々は、GaN系RTDの結晶成長条件の改善により、従来よりも約20倍以上高いON/OFF比（> 600）を実現した。また、この結果は、本不揮発メモリ動作が、量子井戸でのサブバンド間遷移と電子蓄積効果に起因することを支持する。