[16p-P01-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-P01-16] 圧力勾配スパッタリング法による AlN 膜の作製と構造評価

〇(M1)原口 謙吾¹、市瀬 亮¹、太田 裕己²、米澤 健²、寺井 慶和¹ (1.九工大情報工、2.ケニックス(株))

キーワード：AlN、装置技術、成⻑（スパッタリング）

従来のスパッタリング法によるAlN成膜では，成長中の圧力が1 Pa と高く，窒素プラズマによる反応性も低いため，c軸高配向膜の作製が困難である．そこで，本研究では高真空(~0.1 Pa)かつ高反応性スパッタリングでの成長が可能な圧力勾配スパッタリング(PGS)法に着目し，PGS装置内の圧力勾配測定，AlN膜の作製・構造評価を行ったので報告する．