[16p-P01-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-P01-2] リモートエピタキシーによるInN結晶成長における下地基板の効果

〇松島 健太¹、毛利 真一郎¹、荒木 努¹ (1.立命館大理工)

キーワード：結晶成長、グラフェン、窒化物半導体

剥離可能な化合物半導体結晶成長手法として、グラフェンを緩衝層に用いたリモートエピタキシーと呼ばれる手法が提案されている。今回、イオン性が近いInNとGaNを下地基板に用いて、リモートエピタキシーによるInN成長を行い、疑似格子整合の効果を検証した。イオン性が同程度であっても同じ基板材料を用いた方が良質な薄膜が得られ、リモートエピタキシーにおいて、疑似格子整合が重要な因子であることが考えられる。