[16p-P01-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-P01-3] コールドウォール反応管を用いた減圧化学気相法による c 面サファイア基板への六方晶窒化ホウ素薄膜の成長

〇渡邊 泰良¹、松下 一貴¹、田中 祐樹¹、吉岡 陸¹、増田 克仁¹、小南 裕子¹、原 和彦^2,3 (1.静岡大総合研、2.静岡大創科院、3.静岡電子研)

キーワード：六方晶窒化ホウ素、化学気相法、サファイア基板

六方晶窒化ホウ素(h-BN)は、深紫外発光素子への応用が期待されているⅢ-Ⅴ族材料である。本研究ではコールドウォール反応管で、c面サファイア基板上へのh-BN薄膜の成長を試みた。原料ガスは BCl₃とNH₃を使用し、基板温度を1000 ~ 1500 ^°Cの範囲で試料を作製した。ホットウォール反応管で成長した試料と比較すると、コールドウォール反応管で成長した試料のほうがグレインが緻密になり、欠陥発光強度に対する励起子発光強度も改善がみられた。