[16p-P01-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-P01-5] RF-MBE法によるScAlMgO₄基板上へのInGaNエピタキシャル成長

〇(M1)栢本 聖也¹、黒田 悠弥¹、和田 邑一¹、藤井 高志^1,2、毛利 真一郎¹、白石 裕児²、福田 承生²、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.（株）福田結晶研)

キーワード：窒化物半導体、ScAlMgO4、結晶成長

ScAlMgO4（SAM）はGaNとの格子定数差が1.8％と小さく、In組成17％のInGaNと格子整合する。さらに無転位SAM結晶が得られたことから、窒化物半導体成長用基板として期待される。我々は、高真空下で低温成長が可能なRF-MBE法を用いて、InとGaのフラックス量比をパラメータとしたSAM基板上InGaN薄膜成長を実施し、成長条件の検討をおこなった。Inドロップレットはあるものの、RF-MBE法により成長温度650℃にてSAM基板上に低In組成のInGaN成長を確認した。