[16p-P01-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-P01-8] 第一原理計算によるGaN中N空孔複合欠陥の安定性解析

〇大内 祐貴¹、田中 亮¹、上野 勝典¹、高島 信也¹ (1.富士電機)

キーワード：窒化ガリウム、第一原理計算、空孔欠陥

GaNを用いた縦型MOSFETにとってMgイオン注入によるp型層の形成は重要な要素技術である。しかし、イオン注入では多数の複合化した空孔欠陥がp型伝導を妨げると考えられている。したがって、p型伝導の制御にはこのような複合空孔欠陥の形成メカニズムを明らかにする必要がある。今回、イオン注入により生成する欠陥構造を推測するため、N空孔欠陥が複合化した構造について第一原理計算による安定性の解析を行った結果を報告する。