[16p-P02-1~4] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[16p-P02-1] レーザー溶融結晶化による石英基板上単結晶GeSn作製技術の高度化

〇國吉 望月^1,2、田淵 直人²、細井 卓治²、志村 考功²、渡部 平司² (1.アルバック、2.阪大院工)

キーワード：GeSn、レーザーアニール、石英基板

GeSn半導体は、Snの組成比や引張歪みにより間接遷移型から直接遷移型のエネルギーバンド構造に変調し、赤外域の受光発光素子や高移動度電子デバイスへの応用が期待されている。単結晶GeSnを作製する方法として我々は横方向液相成長とレーザー溶融結晶化を組合せた技術を提案している。本手法では透明石英上の光吸収体となるGeSn細線のパターン依存性が容易に予想できるが、その詳細な検討には至っていない。本研究では、GeSn溶融に利用可能でより安価な半導体レーザーを用いて新たにシステムを構築し、検討を行ったので報告する。