[16p-P05-1~7] 6.2 カーボン系薄膜

[16p-P05-5] ダイヤモンド結晶転位が縦型デバイスに及ぼす影響評価

〇見方 尚輝¹、市川 公善²、寺地 徳之^2,1、鹿田 真一¹ (1.関学大理工、2.国立研究開発法人物質材料研究機構)

キーワード：ダイヤモンド、転位、ショットキーバリアダイオード

ダイヤモンド縦型デバイス特性に及ぼす転位の影響が研究されています。デバイス製造前にXRTを使用して観察された特定の転位に対応する場所で電極を製造した。貫通転位起因で発生したピラミッド成長丘は無欠陥と比較すると非常に大きなリーク電流を示した。 しかし貫通転位を有すフラット成長丘は逆方向特性に大きな影響を及ぼさなかった。成長丘を構成する貫通転位束の種類により差が出たと考えられ、今後詳細な検討が必要である。