[16p-P05-1~7] 6.2 カーボン系薄膜

[16p-P05-7] ダイヤモンドモザイク基板上への高濃度ホウ素ドーピングと均一性評価

冨士 和樹¹、岡本 尚樹¹、〇齊藤 丈靖¹、嶋岡 毅紘²、大曲 新矢²、山田 英明² (1.阪府大院工、2.産総研)

キーワード：モザイクダイヤモンド、高濃度ホウ素ドーピング、均一性評価

ダイヤモンドデバイスの実用化には、インチサイズ基板が必要であるが、未だ2～10 mm角が主流であり、インチサイズ基板でのドーピング均一性の報告例は極めて少ない。20 mm角の単結晶モザイク基板上に成長した高濃度ホウ素ドープ層の境界部と5 mm離れた位置でラマン分光で得たホウ素濃度の標準偏差はそれぞれ9.1×10¹⁹と2.6×10¹⁹であり、横型デバイス作製への影響は小さいと考えられる。