[16p-P08-1~5] 9.2 Nanoparticles, Nanowires and Nanosheets

[16p-P08-5] Shell layer regrowth to InP nanowire core by self-catalytic VLS mode using SOG

〇(B)Yuta Katori¹, Riki Isihara¹, Kei Kuwahara¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:InP nanowire, self-catalytic VLS mode, MOVPE

われわれはMOVPEによる自己触媒VLS法を用いたInPナノワイヤ成長に関する研究を行っている。この成長方法はAu等の金属粒子の代わりに同じⅢ族元素を触媒として使用することでナノワイヤを成長することができる[1,2]。これまでにInP(111)B基板上にInPコアを形成した後にGaInAs/InPマルチシェルを形成することでInP/GaInAsコアマルチシェルナノワイヤを成長し、物性評価、及びデバイス応用に向けた研究を行ってきた。本報告では触媒を除去した後のシェル層再成長およびSOGを用いたシェル層再成長によるコアシェル構造ナノワイヤの形状について述べる。