[16p-P08-1~5] 9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート

[16p-P08-5] SOGを用いた自己触媒VLS法InPナノワイヤコアへのシェル層再成長

〇(B)香取 祐太¹、石原 理暉¹、桑原 圭¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：InPナノワイヤ、自己触媒VLS法、MOVPE

われわれはMOVPEによる自己触媒VLS法を用いたInPナノワイヤ成長に関する研究を行っている。この成長方法はAu等の金属粒子の代わりに同じⅢ族元素を触媒として使用することでナノワイヤを成長することができる[1,2]。これまでにInP(111)B基板上にInPコアを形成した後にGaInAs/InPマルチシェルを形成することでInP/GaInAsコアマルチシェルナノワイヤを成長し、物性評価、及びデバイス応用に向けた研究を行ってきた。本報告では触媒を除去した後のシェル層再成長およびSOGを用いたシェル層再成長によるコアシェル構造ナノワイヤの形状について述べる。