[16p-P10-1~2] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-P10-1] シリコン表面近傍における光注入価電子正孔系の超高速緩和現象

〇(M1)佐藤 悠介¹、金崎 順一¹、谷村 克己²、山本 勇³、東 純平³、深津 晋⁴ (1.大阪市大院工、2.阪大産研、3.佐賀大シンクロトロン光応用研究センター、4.東京大院総合文化)

キーワード：半導体