2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

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13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16p-P11-1~1] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2021年3月16日(火) 17:00 〜 17:50 P11 (ポスター)

17:00 〜 17:50

[16p-P11-1] スパッタ成膜条件の異なる窒化銅薄膜からのヨウ素溶液法によるヨウ化銅薄膜の形成

畑 由鶴1、磯村 雅夫1、金子 哲也1 (1.東海大院工)

キーワード:半導体

ワイドギャップな透明半導体として知られているヨウ化銅は太陽電池におけるp型層、正孔輸送層への応用が期待されている。我々はそのヨウ化銅を窒化銅薄膜からヨウ素溶液法によって研究を進めている。本研究では窒化銅薄膜の成膜条件に対するヨウ化銅薄膜への影響を検討した。