[16p-Z07-1~11] パワーデバイスの最新動向と今後の展望

[16p-Z07-11] HfO₂をゲート絶縁膜とする1.3 kV耐圧ノーマリーオフβ-Ga₂O₃ FinFET

〇脇本 大樹¹、林 家弘¹、ティユ クァン トゥ¹、宮本 広信¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：酸化ガリウム、MOSトランジスタ、HfO2

High-k HfO₂をゲート絶縁膜とするβ-Ga₂O₃ FinFETプロセスを開発した。ドナー濃度1.7 x 10¹⁶ cm^-3、厚さ10 µmのエピタキシャル層上に作製した素子はノーマリオフ特性を示し、しきい値は0.4 V、ドリフト層の電流広がりを考慮して見積もった電流密度は310 A/cm²、オン抵抗は9.8 mΩ･cm²であった。耐圧は1.3 kVで良好なオン抵抗-耐圧相関を示した。