[16p-Z07-1~11] Power device technology trends and future prospects

[16p-Z07-2] Si Super Junction BJT with Ultra-High Current Gain and Low ON-resistance: Fabrication and Electrical Characteristics

〇Makoto Hashimoto¹, Kouji Yano², Naoki Matsukawa¹, Akiko Matsuo¹, Akio Mouraguchi¹, Manabu Arai³, Naohiro Shimizu⁴ (1.New Japan Radio, 2.Univ. of Yamanashi, 3.IMaSS, Nagoya Univ., 4.CLPS, Nagoya Univ.)

Keywords:Super Junction, bipolar transistor, power device

SJドリフト領域を有するバイポーラトランジスタ(SJ-BJT)を初めて作成し、従来のバイポーラトランジスタ(BJT)と比較して、低オン抵抗・高電流増幅率であること実証した。これは、SJドリフト領域の高濃度にドーピングされたn型ピラーによる、ベース拡がり効果の抑制の結果であることを明らかにした。