[16p-Z07-1~11] パワーデバイスの最新動向と今後の展望

[16p-Z07-6] 縦型GaNパワーデバイスの現状と今後の展望

〇田中 亮¹、高島 信也¹、上野 勝典¹、江戸 雅晴¹ (1.富士電機)

キーワード：窒化ガリウム、パワーデバイス、イオン注入

縦型GaNデバイスは、Si、SiCに代わる次世代の低損失パワースイッチング素子として期待されている。近年のGaN自立基板技術発展に伴い、各種プロセス技術の開発が進められ、縦型GaNデバイスのポテンシャルの高さを実証するデータが得られてきているが、実用化に向けてはまだ多くの課題がある。本講演では、縦型GaNデバイスの現状、課題と今後の展望について、最新の研究成果を交えて概説する。